Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0805HW3R9KST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 µH, Nennstrom 840 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 430mOhm, Gehäusegröße 0805 (2015 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0805HW3R9KST.
MTF0805HW3R9KST hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0805HW3R9KST ist für 840 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0805HW3R9KST hat einen DC-Widerstand von 430mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0805HW3R9KST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2015 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.9 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 840 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 430mOhm |
| Sättigungsstrom | 840mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.087 L x 0.067 W (2.20mm x 1.70mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2015 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2015 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 3900 NH 840 MA 0.43 OH |
| Serie | MTF0805HW |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 51MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
