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MWSD1005C56NGT

MWSD1005C56NGT

Sunlord

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 56NH 190MA 1.05 OHM

Technische Daten

Induktivität
56 nH
Nennstrom
190 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.05Ohm Max
Abmessungen
0.043" L x 0.024" W (1.10mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MWSD1005C56NGT.

Induktivität
56 nH

MWSD1005C56NGT hat eine Induktivität von 56 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
190 mA

MWSD1005C56NGT ist für 190 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.05Ohm Max

MWSD1005C56NGT hat einen DC-Widerstand von 1.05Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MWSD1005C56NGT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität56 nH
Toleranz±2%
Nennstrom190 mA
DC-Widerstand (DCR)1.05Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.043" L x 0.024" W (1.10mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 56NH 190MA 1.05 OHM
SerieMWSD-C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz2.8GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026" (0.65mm)
Merkmale-

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