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NRS4010T100MDGGV

NRS4010T100MDGGV

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 750MA 360 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
750 mA
DC-Widerstand (DCR)
360mOhm Max
Abmessungen
0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NRS4010T100MDGGV.

Induktivität
10 µH

NRS4010T100MDGGV hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
750 mA

NRS4010T100MDGGV ist für 750 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
360mOhm Max

NRS4010T100MDGGV hat einen DC-Widerstand von 360mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

NRS4010T100MDGGV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom750 mA
DC-Widerstand (DCR)360mOhm Max
Sättigungsstrom620mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 10UH 750MA 360 MOHM
SerieNR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz31MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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