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PE-1008CM820GTT

PE-1008CM820GTT

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-1008CM820GTT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 950 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 140mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
82 nH
Nennstrom
950 mA
DC-Widerstand (DCR)
140mOhm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-1008CM820GTT.

Induktivität
82 nH

PE-1008CM820GTT hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
950 mA

PE-1008CM820GTT ist für 950 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
140mOhm Max

PE-1008CM820GTT hat einen DC-Widerstand von 140mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

PE-1008CM820GTT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität82 nH
Toleranz±2%
Nennstrom950 mA
DC-Widerstand (DCR)140mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 82NH 950MA 140 MOHM
Serie1008CM
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz65 @ 350MHz
Eigenresonanzfrequenz950MHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.090" (2.29mm)

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