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SBC4-1R0-742

SBC4-1R0-742

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 7.4A 10 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
7.4 A
DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max
Abmessungen
0.354" Dia (9.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBC4-1R0-742.

Induktivität
1 µH

SBC4-1R0-742 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
7.4 A

SBC4-1R0-742 ist für 7.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max

SBC4-1R0-742 hat einen DC-Widerstand von 10mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBC4-1R0-742 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom7.4 A
DC-Widerstand (DCR)10mOhm Max
Sättigungsstrom14.9A
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.354" Dia (9.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 1UH 7.4A 10 MOHM TH
SerieSBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.472" (12.00mm)
Merkmale-

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