Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82141B1102K9 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 725 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 190mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82141B1102K9.
B82141B1102K9 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82141B1102K9 ist für 725 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82141B1102K9 hat einen DC-Widerstand von 190mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82141B1102K9 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 725 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 190mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118" Dia (3.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 725MA 190 MOHM TH |
| Serie | SBC |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 180MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.512" (13.00mm) |
