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SBC8-102-761

SBC8-102-761

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 1MH 760MA 780 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 mH
Nennstrom
760 mA
DC-Widerstand (DCR)
780mOhm Max
Abmessungen
0.591" Dia (15.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBC8-102-761.

Induktivität
1 mH

SBC8-102-761 hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
760 mA

SBC8-102-761 ist für 760 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
780mOhm Max

SBC8-102-761 hat einen DC-Widerstand von 780mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBC8-102-761 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 mH
Toleranz±10%
Nennstrom760 mA
DC-Widerstand (DCR)780mOhm Max
Sättigungsstrom1.1A
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.591" Dia (15.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 1MH 760MA 780 MOHM TH
SerieSBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.748" (19.00mm)
Merkmale-

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