Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTSL1112F-102J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 mH, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.4Ohm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSL1112F-102J.
CTSL1112F-102J hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTSL1112F-102J hat einen DC-Widerstand von 1.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTSL1112F-102J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 mH |
| Toleranz | ±5% |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.4Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.441 Dia (11.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1MH 1.4 OHM TH |
| Serie | CTSL1112F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 252kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.1MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.492 (12.50mm) |
