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CTSL1112F-102J

CTSL1112F-102J

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 1MH 1.4 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 mH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
1.4Ohm Max
Abmessungen
0.441 Dia (11.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSL1112F-102J.

Induktivität
1 mH

CTSL1112F-102J hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTSL1112F-102J ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.4Ohm Max

CTSL1112F-102J hat einen DC-Widerstand von 1.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTSL1112F-102J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 mH
Toleranz±5%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)1.4Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.441 Dia (11.20mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1MH 1.4 OHM TH
SerieCTSL1112F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz20 @ 252kHz
Eigenresonanzfrequenz1.1MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.492 (12.50mm)
Merkmale-

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