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SBC9-1R0-982

SBC9-1R0-982

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 9.8A 10 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
9.8 A
DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max
Abmessungen
0.472" Dia (12.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBC9-1R0-982.

Induktivität
1 µH

SBC9-1R0-982 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9.8 A

SBC9-1R0-982 ist für 9.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max

SBC9-1R0-982 hat einen DC-Widerstand von 10mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBC9-1R0-982 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom9.8 A
DC-Widerstand (DCR)10mOhm Max
Sättigungsstrom31.1A
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.472" Dia (12.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 1UH 9.8A 10 MOHM TH
SerieSBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.472" (12.00mm)
Merkmale-

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