Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SDR1005-100M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 2.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SDR1005-100M.
SDR1005-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SDR1005-100M ist für 2.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SDR1005-100M hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SDR1005-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 50mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.7A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.500" L x 0.394" W (12.70mm x 10.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 2.9A 50 MOHM SMD |
| Serie | SDR1005 |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 43 @ 4MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 26MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.197" (5.00mm) |
