Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SL1012V2-R080-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 80 nH, Nennstrom 75 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.37mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SL1012V2-R080-R.
SL1012V2-R080-R hat eine Induktivität von 80 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SL1012V2-R080-R ist für 75 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SL1012V2-R080-R hat einen DC-Widerstand von 0.37mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von SL1012V2-R080-R weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 80 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 75 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.37mOhm |
| Sättigungsstrom | 110A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 80NH 75A 0.37 MOHM |
| Serie | SL1012V2 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
