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SMRF1812-222J

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 250MA 3.2 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
250 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.2Ohm Max
Abmessungen
0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-222J.

Induktivität
22 µH

SMRF1812-222J hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
250 mA

SMRF1812-222J ist für 250 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.2Ohm Max

SMRF1812-222J hat einen DC-Widerstand von 3.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

SMRF1812-222J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±5%
Nennstrom250 mA
DC-Widerstand (DCR)3.2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 22UH 250MA 3.2 OHM SMD
SerieSMRF1812
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz13MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.50mm)
Merkmale-

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