SMRF1812-683J
Gowanda
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF1812-683J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 µH, Nennstrom 82 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 30Ohm Max, Gehäusegröße 1812 (4532 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-683J.
SMRF1812-683J hat eine Induktivität von 680 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF1812-683J ist für 82 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF1812-683J hat einen DC-Widerstand von 30Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF1812-683J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 680 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 82 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 30Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 1812 (4532 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1812 (4532 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 680UH 82MA 30 OHM SMD |
| Serie | SMRF1812 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1812 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.138" (3.50mm) |
