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CTMC1812SF-681J

CTMC1812SF-681J

Central Technologies

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMC1812SF-681J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 µH, Nennstrom 50 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 30Ohm Max, Gehäusegröße 1812 (4532 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680 µH
Nennstrom
50 mA
DC-Widerstand (DCR)
30Ohm Max
Abmessungen
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1812SF-681J.

Induktivität
680 µH

CTMC1812SF-681J hat eine Induktivität von 680 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
50 mA

CTMC1812SF-681J ist für 50 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30Ohm Max

CTMC1812SF-681J hat einen DC-Widerstand von 30Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

CTMC1812SF-681J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität680 µH
Toleranz±5%
Nennstrom50 mA
DC-Widerstand (DCR)30Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 680UH 50MA 30 OHM SMD
SerieCTMC1812SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz3MHz
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134 (3.40mm)

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