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SMRF1812-820J

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 354MA 1.6 OHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
354 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.6Ohm Max
Abmessungen
0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-820J.

Induktivität
820 nH

SMRF1812-820J hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
354 mA

SMRF1812-820J ist für 354 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.6Ohm Max

SMRF1812-820J hat einen DC-Widerstand von 1.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

SMRF1812-820J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±5%
Nennstrom354 mA
DC-Widerstand (DCR)1.6Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 820NH 354MA 1.6 OHM
SerieSMRF1812
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz140MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.50mm)
Merkmale-

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