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CTMC1812SF-R82K

CTMC1812SF-R82K

Central Technologies

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 475MA 450 MOHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
475 mA
DC-Widerstand (DCR)
450mOhm Max
Abmessungen
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1812SF-R82K.

Induktivität
820 nH

CTMC1812SF-R82K hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
475 mA

CTMC1812SF-R82K ist für 475 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
450mOhm Max

CTMC1812SF-R82K hat einen DC-Widerstand von 450mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

CTMC1812SF-R82K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±10%
Nennstrom475 mA
DC-Widerstand (DCR)450mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820NH 475MA 450 MOHM
SerieCTMC1812SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 25.2MHz
Eigenresonanzfrequenz275MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134 (3.40mm)
Merkmale-

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