SMRF1812-823J
Gowanda
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF1812-823J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 µH, Nennstrom 76 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 35Ohm Max, Gehäusegröße 1812 (4532 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-823J.
SMRF1812-823J hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF1812-823J ist für 76 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF1812-823J hat einen DC-Widerstand von 35Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF1812-823J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 76 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 35Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 1812 (4532 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1812 (4532 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 820UH 76MA 35 OHM SMD |
| Serie | SMRF1812 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 2.5MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1812 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.138" (3.50mm) |
