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CTHC1812F-821K

CTHC1812F-821K

Central Technologies

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 820UH 60MA 45 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
820 µH
Nennstrom
60 mA
DC-Widerstand (DCR)
45Ohm Max
Abmessungen
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTHC1812F-821K.

Induktivität
820 µH

CTHC1812F-821K hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
60 mA

CTHC1812F-821K ist für 60 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
45Ohm Max

CTHC1812F-821K hat einen DC-Widerstand von 45Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

CTHC1812F-821K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 µH
Toleranz±10%
Nennstrom60 mA
DC-Widerstand (DCR)45Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820UH 60MA 45 OHM SMD
SerieCTHC1812F
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz2.5MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134 (3.40mm)
Merkmale-

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