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SMRF1812S-820M

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 1.059A 178 MOHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
1.059 A
DC-Widerstand (DCR)
178mOhm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812S-820M.

Induktivität
820 nH

SMRF1812S-820M hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.059 A

SMRF1812S-820M ist für 1.059 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
178mOhm Max

SMRF1812S-820M hat einen DC-Widerstand von 178mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

SMRF1812S-820M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±20%
Nennstrom1.059 A
DC-Widerstand (DCR)178mOhm Max
Sättigungsstrom750mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 820NH 1.059A 178 MOHM
SerieSMRF1812S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz40 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz155MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.50mm)
Merkmale-

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