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SMRF1812T-222JLF

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 225MA 3.5 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
225 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.5Ohm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812T-222JLF.

Induktivität
22 µH

SMRF1812T-222JLF hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
225 mA

SMRF1812T-222JLF ist für 225 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.5Ohm Max

SMRF1812T-222JLF hat einen DC-Widerstand von 3.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

SMRF1812T-222JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±5%
Nennstrom225 mA
DC-Widerstand (DCR)3.5Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 22UH 225MA 3.5 OHM SMD
SerieSMRF1812T
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz16MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.50mm)
Merkmale-

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