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SRN3010C-100M

SRN3010C-100M

Bourns Inc.

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 1.1A 504 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
1.1 A
DC-Widerstand (DCR)
504mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN3010C-100M.

Induktivität
10 µH

SRN3010C-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1 A

SRN3010C-100M ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
504mOhm Max

SRN3010C-100M hat einen DC-Widerstand von 504mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

SRN3010C-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.1 A
DC-Widerstand (DCR)504mOhm Max
Sättigungsstrom800mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 10UH 1.1A 504 MOHM SMD
SerieSRN3010C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz10 @ 100kHz
Eigenresonanzfrequenz40MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3010
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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