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SRN3010TA-100M

SRN3010TA-100M

Bourns Inc.

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 800MA 350 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
350mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN3010TA-100M.

Induktivität
10 µH

SRN3010TA-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

SRN3010TA-100M ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
350mOhm

SRN3010TA-100M hat einen DC-Widerstand von 350mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

SRN3010TA-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)350mOhm
Sättigungsstrom630mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 10UH 800MA 350 MOHM
SerieSRN3010TA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz22 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz40MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3010
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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