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SRN6045TA-1R2Y

SRN6045TA-1R2Y

Bourns Inc.

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1.2UH 7.5A 10.5 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
7.5 A
DC-Widerstand (DCR)
10.5mOhm
Abmessungen
0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN6045TA-1R2Y.

Induktivität
1.2 µH

SRN6045TA-1R2Y hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
7.5 A

SRN6045TA-1R2Y ist für 7.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10.5mOhm

SRN6045TA-1R2Y hat einen DC-Widerstand von 10.5mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SRN6045TA-1R2Y verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±30%
Nennstrom7.5 A
DC-Widerstand (DCR)10.5mOhm
Sättigungsstrom12.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 7.5A 10.5 MOHM
SerieSRN6045TA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz15 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz90MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.177" (4.50mm)
Merkmale-

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