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SWF 2012RIF-4R7M

SWF 2012RIF-4R7M

TAI-TECH

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SWF 2012RIF-4R7M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 840 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 430mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
840 mA
DC-Widerstand (DCR)
430mOhm
Abmessungen
0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SWF 2012RIF-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

SWF 2012RIF-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
840 mA

SWF 2012RIF-4R7M ist für 840 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
430mOhm

SWF 2012RIF-4R7M hat einen DC-Widerstand von 430mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

SWF 2012RIF-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom840 mA
DC-Widerstand (DCR)430mOhm
Sättigungsstrom520mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 840MA 430 MOHM
SerieSWF2012RIF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz14 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz51MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

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