Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SWF 2012RIF-6R8M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 145mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SWF 2012RIF-6R8M.
SWF 2012RIF-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SWF 2012RIF-6R8M ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SWF 2012RIF-6R8M hat einen DC-Widerstand von 145mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SWF 2012RIF-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 700 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 145mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 420mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 700MA 145 MOHM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 14 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 46MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.055" (1.40mm) |
