Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil THFD2811R2V-2R2MN-D von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für THFD2811R2V-2R2MN-D.
THFD2811R2V-2R2MN-D hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | IND 2.2UH 0.77MOHM 62A TH |
| Produktstatus | Active |
