Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil THFD3822SV-R82MN-D von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.82 µH. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für THFD3822SV-R82MN-D.
THFD3822SV-R82MN-D hat eine Induktivität von 0.82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.82 µH |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | IND 0.82UH 0.18MOHM 132A TH |
| Produktstatus | Active |
