Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMAF 0301S-4R7MN von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 215mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMAF 0301S-4R7MN.
TMAF 0301S-4R7MN hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TMAF 0301S-4R7MN hat einen DC-Widerstand von 215mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TMAF 0301S-4R7MN verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 µH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 215mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.8A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.130" L x 0.122" W (3.30mm x 3.10mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 4.7UH 215 MOHM SMD |
| Serie | TMAF0301S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Alloy Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
