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TMPA1265HTV-4R7MN-D

TMPA1265HTV-4R7MN-D

TAI-TECH

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMPA1265HTV-4R7MN-D von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 17 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 7.7 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
17 A
DC-Widerstand (DCR)
7.7 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMPA1265HTV-4R7MN-D.

Induktivität
4.7 µH

TMPA1265HTV-4R7MN-D hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
17 A

TMPA1265HTV-4R7MN-D ist für 17 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7.7 mOhm Max

TMPA1265HTV-4R7MN-D hat einen DC-Widerstand von 7.7 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom17 A
DC-Widerstand (DCR)7.7 mOhm Max
Sättigungsstrom20 A Max
LieferantTAI-TECH
BeschreibungIND 4.7UH 7.7MOHM 17A
ProduktstatusActive
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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