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TYS252012L2R2M-1A

TYS252012L2R2M-1A

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.15A 199 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.15 A
DC-Widerstand (DCR)
199mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS252012L2R2M-1A.

Induktivität
2.2 µH

TYS252012L2R2M-1A hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.15 A

TYS252012L2R2M-1A ist für 1.15 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
199mOhm Max

TYS252012L2R2M-1A hat einen DC-Widerstand von 199mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

TYS252012L2R2M-1A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.15 A
DC-Widerstand (DCR)199mOhm Max
Sättigungsstrom1.85A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.15A 199 MOHM
SerieTYS252012L
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz69MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.055 (1.40mm)
Merkmale-

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