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TYS60452R2N-10

TYS60452R2N-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 4.6A 14 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
4.6 A
DC-Widerstand (DCR)
14mOhm
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS60452R2N-10.

Induktivität
2.2 µH

TYS60452R2N-10 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.6 A

TYS60452R2N-10 ist für 4.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14mOhm

TYS60452R2N-10 hat einen DC-Widerstand von 14mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS60452R2N-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±30%
Nennstrom4.6 A
DC-Widerstand (DCR)14mOhm
Sättigungsstrom6.75A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 4.6A 14 MOHM SMD
SerieTYS6045
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz52MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.185 (4.70mm)
Merkmale-

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