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TYS80401R0N-10

TYS80401R0N-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 6.3A 8 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
6.3 A
DC-Widerstand (DCR)
8mOhm Max
Abmessungen
0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TYS80401R0N-10.

Induktivität
1 µH

TYS80401R0N-10 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.3 A

TYS80401R0N-10 ist für 6.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
8mOhm Max

TYS80401R0N-10 hat einen DC-Widerstand von 8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

TYS80401R0N-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom6.3 A
DC-Widerstand (DCR)8mOhm Max
Sättigungsstrom9.85A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1UH 6.3A 8 MOHM SMD
SerieTYS8040
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz89MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.165 (4.20mm)
Merkmale-

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