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WCLA2012V1-102-R

WCLA2012V1-102-R

Eaton - Electronics Division

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil WCLA2012V1-102-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 170 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.4Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
170 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm Max
Abmessungen
0.091" L x 0.067" W (2.30mm x 1.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WCLA2012V1-102-R.

Induktivität
1 µH

WCLA2012V1-102-R hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
170 mA

WCLA2012V1-102-R ist für 170 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm Max

WCLA2012V1-102-R hat einen DC-Widerstand von 2.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

WCLA2012V1-102-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±5%
Nennstrom170 mA
DC-Widerstand (DCR)2.4Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.091" L x 0.067" W (2.30mm x 1.70mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 1UH 170MA 2.4 OHM SMD
SerieWCLA2012V1
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz200MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)

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