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WPN201610H1R0MT

WPN201610H1R0MT

Sunlord

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 2.05A 90 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
2.05 A
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WPN201610H1R0MT.

Induktivität
1 µH

WPN201610H1R0MT hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.05 A

WPN201610H1R0MT ist für 2.05 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max

WPN201610H1R0MT hat einen DC-Widerstand von 90mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

WPN201610H1R0MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.05 A
DC-Widerstand (DCR)90mOhm Max
Sättigungsstrom3.85A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.05A 90 MOHM SMD
SerieWPN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz70MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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