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WTXE252012TR22MT

WTXE252012TR22MT

Sunlord

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 220NH 9A 10 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
220 nH
Nennstrom
9 A
DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WTXE252012TR22MT.

Induktivität
220 nH

WTXE252012TR22MT hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9 A

WTXE252012TR22MT ist für 9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10mOhm Max

WTXE252012TR22MT hat einen DC-Widerstand von 10mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

WTXE252012TR22MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität220 nH
Toleranz±20%
Nennstrom9 A
DC-Widerstand (DCR)10mOhm Max
Sättigungsstrom10A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 220NH 9A 10 MOHM SMD
SerieWT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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