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CT636CYF-3R3M

CT636CYF-3R3M

Central Technologies

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説明

Central Technologies 製の電子部品 CT636CYF-3R3M の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 3.3 µH、定格電流 2.26 A、直流抵抗 (DCR) 35mOhmです。PDFデータシートを確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。

仕様

インダクタンス
3.3 µH
定格電流
2.26 A
直流抵抗 (DCR)
35mOhm

パラメータガイド

CT636CYF-3R3M の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。

インダクタンス
3.3 µH

CT636CYF-3R3M のインダクタンス値は 3.3 µH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。

定格電流
2.26 A

CT636CYF-3R3M の定格電流は 2.26 A です。定格電流は、想定される DC または RMS 電流を過度な発熱や飽和リスクなしに扱えるかを判断するために役立ちます。

直流抵抗 (DCR)
35mOhm

CT636CYF-3R3M の直流抵抗は 35mOhm です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。

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製品属性

データシート記録
参照資料最終更新日: 2026/10/8
インダクタンス3.3 µH
許容差±20%
定格電流2.26 A
直流抵抗 (DCR)35mOhm
動作温度-30°C ~ 100°C
サプライヤーCentral Technologies
説明FIXED IND 3.3UH 35 MOHM SMD
シリーズct636cyf
製品ステータスActive
インダクタンス測定周波数100 kHz
実装タイプSurface Mount

プレビュー