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CTC1F-R82K

CTC1F-R82K

Central Technologies

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説明

Central Technologies 製の電子部品 CTC1F-R82K の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 820 nH、定格電流 420 mA、直流抵抗 (DCR) 850mOhmです。PDFデータシートを確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。

仕様

インダクタンス
820 nH
定格電流
420 mA
直流抵抗 (DCR)
850mOhm

パラメータガイド

CTC1F-R82K の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。

インダクタンス
820 nH

CTC1F-R82K のインダクタンス値は 820 nH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。

定格電流
420 mA

CTC1F-R82K の定格電流は 420 mA です。定格電流は、想定される DC または RMS 電流を過度な発熱や飽和リスクなしに扱えるかを判断するために役立ちます。

直流抵抗 (DCR)
850mOhm

CTC1F-R82K の直流抵抗は 850mOhm です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。

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製品属性

データシート記録
参照資料最終更新日: 2026/10/8
インダクタンス820 nH
許容差±10%
定格電流420 mA
直流抵抗 (DCR)850mOhm
動作温度-55°C ~ 125°C
サプライヤーCentral Technologies
説明FIXED IND 820NH 850 MOHM TH
シリーズctc1f
製品ステータスActive
Q値 @ 周波数28 Min @ 25 MHz
自己共振周波数250MHz
インダクタンス測定周波数25 MHz
実装タイプThrough Hole

プレビュー