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CTCDRH4D28F-4R7N

CTCDRH4D28F-4R7N

Central Technologies

Nonstandard
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説明

Central Technologies 製の電子部品 CTCDRH4D28F-4R7N の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 4.7 µH、直流抵抗 (DCR) 72mOhm Max、パッケージサイズ Nonstandardです。PDFデータシートを確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。

仕様

インダクタンス
4.7 µH
直流抵抗 (DCR)
72mOhm Max
寸法
0.185 L x 0.185 W (4.70mm x 4.70mm)

パラメータガイド

CTCDRH4D28F-4R7N の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。

インダクタンス
4.7 µH

CTCDRH4D28F-4R7N のインダクタンス値は 4.7 µH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。

直流抵抗 (DCR)
72mOhm Max

CTCDRH4D28F-4R7N の直流抵抗は 72mOhm Max です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。

パッケージ/ケース
Nonstandard

CTCDRH4D28F-4R7N のパッケージまたはケースは Nonstandard です。パッケージサイズは PCB フットプリント、高さ制限、熱特性、自動実装との互換性に影響します。

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製品属性

データシート記録
参照資料最終更新日: 2026/7/5
インダクタンス4.7 µH
許容差±30%
直流抵抗 (DCR)72mOhm Max
飽和電流1.32A
動作温度-30°C ~ 100°C
寸法0.185 L x 0.185 W (4.70mm x 4.70mm)
サイズNonstandard
パッケージ/ケースNonstandard
サプライヤーCentral Technologies
説明FIXED IND 4.7UH 72 MOHM SMD
シリーズCTCDRH4D28F
製品ステータスActive
シールドShielded
インダクタンス測定周波数100 kHz
実装タイプSurface Mount
高さ - 実装時 (最大)0.118 (3.00mm)

プレビュー