説明
Central Technologies 製の電子部品 CTCDRH4D28F-8R2N の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 8.2 µH、直流抵抗 (DCR) 117.5mOhm Max、パッケージサイズ Nonstandardです。PDFデータシートを確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。
仕様
インダクタンス
8.2 µH
直流抵抗 (DCR)
117.5mOhm Max
寸法
0.185 L x 0.185 W (4.70mm x 4.70mm)
パラメータガイド
CTCDRH4D28F-8R2N の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。
インダクタンス
8.2 µH
CTCDRH4D28F-8R2N のインダクタンス値は 8.2 µH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。
直流抵抗 (DCR)
117.5mOhm Max
CTCDRH4D28F-8R2N の直流抵抗は 117.5mOhm Max です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。
パッケージ/ケース
Nonstandard
CTCDRH4D28F-8R2N のパッケージまたはケースは Nonstandard です。パッケージサイズは PCB フットプリント、高さ制限、熱特性、自動実装との互換性に影響します。
製品属性
| インダクタンス | 8.2 µH |
| 許容差 | ±30% |
| 直流抵抗 (DCR) | 117.5mOhm Max |
| 飽和電流 | 1.04A |
| 動作温度 | -30°C ~ 100°C |
| 寸法 | 0.185 L x 0.185 W (4.70mm x 4.70mm) |
| サイズ | Nonstandard |
| パッケージ/ケース | Nonstandard |
| サプライヤー | Central Technologies |
| 説明 | FIXED IND 8.2UH 117.5 MOHM SMD |
| シリーズ | CTCDRH4D28F |
| 製品ステータス | Active |
| シールド | Shielded |
| インダクタンス測定周波数 | 100 kHz |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 高さ - 実装時 (最大) | 0.118 (3.00mm) |
