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CTCDRH5D28RF-820N

CTCDRH5D28RF-820N

Central Technologies

Nonstandard
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説明

Central Technologies 製の電子部品 CTCDRH5D28RF-820N の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 82 µH、直流抵抗 (DCR) 418.5mOhm Max、パッケージサイズ Nonstandardです。PDFデータシートを確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。

仕様

インダクタンス
82 µH
直流抵抗 (DCR)
418.5mOhm Max
寸法
0.248 L x 0.248 W (6.30mm x 6.30mm)

パラメータガイド

CTCDRH5D28RF-820N の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。

インダクタンス
82 µH

CTCDRH5D28RF-820N のインダクタンス値は 82 µH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。

直流抵抗 (DCR)
418.5mOhm Max

CTCDRH5D28RF-820N の直流抵抗は 418.5mOhm Max です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。

パッケージ/ケース
Nonstandard

CTCDRH5D28RF-820N のパッケージまたはケースは Nonstandard です。パッケージサイズは PCB フットプリント、高さ制限、熱特性、自動実装との互換性に影響します。

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製品属性

データシート記録
参照資料最終更新日: 2026/7/5
インダクタンス82 µH
許容差±30%
直流抵抗 (DCR)418.5mOhm Max
飽和電流450mA
動作温度-30°C ~ 100°C
寸法0.248 L x 0.248 W (6.30mm x 6.30mm)
サイズNonstandard
パッケージ/ケースNonstandard
サプライヤーCentral Technologies
説明FIXED IND 82UH 418.5 MOHM SMD
シリーズCTCDRH5D28RF
製品ステータスActive
シールドShielded
インダクタンス測定周波数100 kHz
実装タイプSurface Mount
高さ - 実装時 (最大)0.118 (3.00mm)

プレビュー