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CTCH875F-100M

CTCH875F-100M

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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説明

Central Technologies 製の電子部品 CTCH875F-100M の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 10 µH、直流抵抗 (DCR) 50mOhm Max、パッケージサイズ Radial, Vertical Cylinderです。PDFデータシートを確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。

仕様

インダクタンス
10 µH
直流抵抗 (DCR)
50mOhm Max
寸法
0.307 Dia (7.80mm)

パラメータガイド

CTCH875F-100M の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。

インダクタンス
10 µH

CTCH875F-100M のインダクタンス値は 10 µH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。

直流抵抗 (DCR)
50mOhm Max

CTCH875F-100M の直流抵抗は 50mOhm Max です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。

パッケージ/ケース
Radial, Vertical Cylinder

CTCH875F-100M のパッケージまたはケースは Radial, Vertical Cylinder です。パッケージサイズは PCB フットプリント、高さ制限、熱特性、自動実装との互換性に影響します。

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製品属性

データシート記録
参照資料最終更新日: 2026/7/5
インダクタンス10 µH
許容差±20%
直流抵抗 (DCR)50mOhm Max
飽和電流2.9A
動作温度-30°C ~ 100°C
寸法0.307 Dia (7.80mm)
サイズRadial, Vertical Cylinder
パッケージ/ケースRadial, Vertical Cylinder
サプライヤーCentral Technologies
説明FIXED IND 10UH 50 MOHM TH
シリーズCTCH875F
製品ステータスActive
タイプ / 構造Wirewound
シールドUnshielded
インダクタンス測定周波数2.52 MHz
実装タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージRadial
高さ - 実装時 (最大)0.295 (7.50mm)

プレビュー