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CTEPH149F-2R4M

CTEPH149F-2R4M

Central Technologies

3-SMD, J-Lead
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説明

Central Technologies 製の電子部品 CTEPH149F-2R4M の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 2.4 µH、直流抵抗 (DCR) 2.35mOhm Max、パッケージサイズ 3-SMD, J-Leadです。PDFデータシートを確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。

仕様

インダクタンス
2.4 µH
直流抵抗 (DCR)
2.35mOhm Max
寸法
0.591 L x 0.579 W (15.00mm x 14.70mm)

パラメータガイド

CTEPH149F-2R4M の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。

インダクタンス
2.4 µH

CTEPH149F-2R4M のインダクタンス値は 2.4 µH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。

直流抵抗 (DCR)
2.35mOhm Max

CTEPH149F-2R4M の直流抵抗は 2.35mOhm Max です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。

パッケージ/ケース
3-SMD, J-Lead

CTEPH149F-2R4M のパッケージまたはケースは 3-SMD, J-Lead です。パッケージサイズは PCB フットプリント、高さ制限、熱特性、自動実装との互換性に影響します。

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製品属性

データシート記録
参照資料最終更新日: 2026/7/5
インダクタンス2.4 µH
許容差±20%
直流抵抗 (DCR)2.35mOhm Max
飽和電流15A
動作温度-40°C ~ 85°C
寸法0.591 L x 0.579 W (15.00mm x 14.70mm)
サイズ3-SMD, J-Lead
パッケージ/ケース3-SMD, J-Lead
サプライヤーCentral Technologies
説明FIXED IND 2.4UH 2.35 MOHM SMD
シリーズCTEPH149F
製品ステータスActive
シールドShielded
インダクタンス測定周波数100 MHz
実装タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ3-SMD
高さ - 実装時 (最大)0.386 (9.80mm)

プレビュー

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