CTSMDS4F-R10M
Central Technologies
2-SMD, J-Lead
説明
Central Technologies 製の電子部品 CTSMDS4F-R10M の技術情報と仕様比較ページです。主な仕様はインダクタンス 100 nH、直流抵抗 (DCR) 26mOhm Max、パッケージサイズ 2-SMD, J-Leadです。掲載されている仕様を確認し、仕様が近い代替候補を比較できます。
仕様
インダクタンス
100 nH
直流抵抗 (DCR)
26mOhm Max
寸法
0.504 L x 0.238 W (12.80mm x 6.05mm)
パラメータガイド
CTSMDS4F-R10M の主要な電気的・機械的仕様を確認できます。
インダクタンス
100 nH
CTSMDS4F-R10M のインダクタンス値は 100 nH です。この値は部品が蓄えられる磁気エネルギーを示し、インダクタ選定時に最初に比較される重要なパラメータです。
直流抵抗 (DCR)
26mOhm Max
CTSMDS4F-R10M の直流抵抗は 26mOhm Max です。DCR が低いほど導通損失を抑えやすく、電源回路の効率改善に有利です。
パッケージ/ケース
2-SMD, J-Lead
CTSMDS4F-R10M のパッケージまたはケースは 2-SMD, J-Lead です。パッケージサイズは PCB フットプリント、高さ制限、熱特性、自動実装との互換性に影響します。
製品属性
データシート記録
最終更新日: 2026/7/5| インダクタンス | 100 nH |
| 許容差 | ±20% |
| 直流抵抗 (DCR) | 26mOhm Max |
| 飽和電流 | 3A |
| 動作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 寸法 | 0.504 L x 0.238 W (12.80mm x 6.05mm) |
| サイズ | 2-SMD, J-Lead |
| パッケージ/ケース | 2-SMD, J-Lead |
| サプライヤー | Central Technologies |
| 説明 | FIXED IND 100NH 26 MOHM SMD |
| シリーズ | CTSMDS4F |
| 製品ステータス | Obsolete |
| シールド | Shielded |
| Q値 @ 周波数 | 50 @ 25MHz |
| 自己共振周波数 | 400MHz |
| インダクタンス測定周波数 | 25 MHz |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SMD |
| 高さ - 実装時 (最大) | 0.228 (5.80mm) |
