전력 인덕터
전력 인덕터는 주로 전력 변환 시 에너지 저장 및 필터링에 사용되는 고전류 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 회로. 전력 인덕터는 낮은 DCR, 높은 포화 전류 및 우수한 열 성능이 특징입니다. 구조와 용도에 따라 파워 인덕터는 다음과 같이 분류될 수 있습니다.
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차폐 전력 인덕터: 코일을 자성 재료로 완전히 캡슐화하여 낮은 EMI 특성을 갖추고 있어 전자기 간섭에 민감한 애플리케이션에 적합합니다.
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비차폐 파워 인덕터: 불완전한 자기 회로를 갖고 있으며 비용은 저렴하지만 EMI가 높아 전자기 간섭에 민감하지 않은 애플리케이션에 적합합니다.
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성형 파워 인덕터: 사출 또는 압축 성형을 사용하여 코일과 자기 코어를 통합하며 자동차 전자 장치에 일반적으로 사용되는 견고한 구조와 내진동성을 특징으로 합니다.
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플랫 와이어 인덕터: 원형 와이어 대신 플랫 도체를 사용하여 DCR을 줄이고 전류 전달 용량을 증가시켜 고전류, 저손실 애플리케이션에 적합합니다.
파워 인덕터 사양에는 일반적으로 인덕턴스 값(μH), 정격 전류(A), 포화 전류(A), DCR(mΩ)이 주요 매개변수로 포함됩니다.
칩 인덕터, 권선 인덕터 및 파워 인덕터의 분류
전자 회로의 핵심 부품인 인덕터는 구조, 제조 공정 및 응용 시나리오에 따라 다양한 유형으로 분류될 수 있습니다. 엔지니어가 적절한 부품을 선택하려면 각 유형의 특성을 이해하는 것이 중요합니다.
칩 인덕터
칩 인덕터는 표면 실장 기술(SMT)의 제품으로 작은 크기, 가벼운 무게 및 자동 조립과의 우수한 호환성이 특징입니다. 내부 구조와 제조 공정에 따라 칩 인덕터는 다음과 같이 분류될 수 있습니다.
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MLCI(다층 칩 인덕터): 세라믹 기판에 도체 패턴을 인쇄한 다음 적층하고 소결하는 다층 세라믹 커패시터와 유사한 공정을 사용하여 제조됩니다. 이 인덕터는 크기가 작고 일관성이 좋지만 상대적으로 제한된 인덕턴스 값과 전류 전달 용량이 특징이며 일반적으로 고주파 소신호 애플리케이션에 사용됩니다.
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권선형 칩 인덕터: 세라믹 또는 페라이트 코어 주위에 구리선을 감은 다음 SMD 형태로 포장합니다. 다층 칩 인덕터에 비해 Q 값이 더 높고 인덕턴스 범위가 넓지만 크기가 상대적으로 큽니다.
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박막 칩 인덕터: 주로 고주파 RF 회로에 적용되는 박막 증착 및 포토리소그래피 기술을 사용하여 제조되며 정확한 인덕턴스 값과 우수한 고주파 특성이 특징입니다.
칩 인덕터 패키지 사양은 일반적으로 0201, 0402, 0603, 0805, 길이와 너비를 인치 단위로 나타내는 숫자가 있는 1008, 1210 등(예: 0402는 0.04인치 × 0.02인치를 의미함).
권선 인덕터
권선 인덕터는 가장 전통적인 유형의 권선 인덕터입니다. 자기 코어 주위에 와이어를 감아서 형성된 인덕터. 코어 모양과 권선 방법에 따라 권선형 인덕터는 다음과 같이 더 분류될 수 있습니다.
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토로이달 인덕터: 링 모양 코어에 감겨 있는 와이어로, 자립형 자기장, 낮은 누설, 낮은 EMI를 특징으로 하며 고성능 전원 공급 장치 및 오디오 장비에 일반적으로 사용됩니다.
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솔레노이드 인덕터: 막대 모양의 코어에 감긴 와이어, 구조가 간단하고 비용이 저렴하지만 누출이 높고 EMI 문제가 더 두드러집니다.
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팟 코어 인덕터: 외부에 폐쇄 자기 회로를 형성하는 자성 재료가 있는 중앙 포스트 주위에 감겨 있는 와이어로, 우수한 차폐 효과와 높은 Q 값을 특징으로 하며 정밀 필터 회로에 일반적으로 사용됩니다.
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드럼 코어 인덕터: 드럼형 코어 주위에 권선된 와이어로, 토로이달과 솔레노이드 유형 사이의 구조로 성능과 비용의 균형을 유지합니다.
권선형 인덕터는 일반적으로 더 높은 인덕턴스 값과 더 큰 전류 전달 용량을 제공하지만 자동화된 생산에서는 크기가 더 크고 효율성이 낮습니다.
애플리케이션 특성 비교
| 인덕터 유형 | EMI 특성 | 전력 밀도 | 효율성 | 비용 | 자동화 호환성 | 주요 적용분야 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 다층 칩 인덕터 | 좋음 | 낮음 | 중간-낮음 | 중간 | 우수 | RF 회로, 고주파 필터링 |
| 권선형 칩 인덕터 | 중간 | 중간 | 중간 | 중간-낮음 | 좋음 | 신호 처리, 중간 주파수 애플리케이션 |
| 토로이달 인덕터 | 우수 | 높음 | 높음 | 높음 | 가난한 | 고성능 전원 공급 장치, 오디오 |
| 솔레노이드 인덕터 | 가난한 | 중간 | 중간-높음 | 낮음 | 중간 | 일반 필터링, 임피던스 매칭 |
| 차폐 전력 인덕터 | 좋음 | 높음 | 높음 | 중간-높음 | 좋음 | 모바일 기기 전원, 자동차 전자 |
| 비차폐 전력 인덕터 | 가난한 | 매우 높음 | 매우 높음 | 중간 | 좋음 | 고효율 전원 공급 장치, 서버 전원 |
인덕터 포장 형태 및 설치 고려 사항
인덕터의 포장 형태는 설치 방법, 열 성능 및 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. PCB 설계에서는 다양한 패키지의 특성과 설치 고려 사항을 이해하는 것이 중요합니다.
일반적인 인덕터 패키징 형태
- SMD 포장:
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표준 칩 패키지: 0201, 0402, 0603, 0805, 1008, 1210 등, 숫자는 인치 단위 치수를 나타냅니다.
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전력 인덕터 패키지: 길이 및 너비 치수를 나타내는 2x2mm, 3x3mm, 4x4mm, 5x5mm, 6x6mm, 7x7mm, 10x10mm 등
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특수 모양 패키지: 로우 프로파일(LP), 초박형(UT) 등과 같이 공간이 제한된 애플리케이션에 적합합니다.
- THT 포장:
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축형 리드: 인덕터 본체의 양쪽 끝에서 연장되는 리드, 소형 인덕터에 적합
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방사형 리드: 인덕터 본체 하단에서 연장되는 리드, 중간 크기에 적합 인덕터
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수직 실장: 인덕터가 PCB에 수직으로 실장되어 PCB 면적이 절약됩니다.
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수평 실장: 인덕터가 PCB에 평행하게 실장되어 전체 높이가 감소합니다
- 특수 패키징:
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조정 가능한 인덕터 패키징: 인덕턴스 값을 미세 조정하기 위한 조정 메커니즘 포함
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고전력 패키징: 방열 구조 포함, 고전류 애플리케이션에 적합
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조합 패키징: 공통 모드 인덕터와 같은 여러 인덕터가 하나의 패키지에 통합됨
다양한 인덕터의 구조적 특징 및 성능 매개변수 비교
다양한 인덕터의 구조적 특징과 성능 매개변수 비교를 이해하면 도움이 됩니다. 엔지니어는 애플리케이션 요구 사항에 따라 가장 적합한 인덕터 유형을 선택합니다.
구조적 특징 비교
| 인덕터 유형 | 핵심구조 | 권선방식 | 패키지 형태 | 크기 범위 |
|---|---|---|---|---|
| 다층 칩 인덕터 | 페라이트층 적층 | 인쇄된 도체 패턴 | SMD | 0201~1210 |
| 권선형 칩 인덕터 | 페라이트/세라믹 | 구리선 권선 | SMD | 0402~2520 |
| 토로이달 인덕터 | 링 모양의 코어 | 원주 권선 | 스루홀/SMD | 3mm~50mm(직경) |
| 솔레노이드 인덕터 | 막대 모양의 코어 | 선형 권선 | 스루홀/SMD | 3mm~30mm(길이) |
| 차폐 전력 인덕터 | 폐쇄 자기 회로 | 구리선/평선 권선 | SMD | 3x3mm~12x12mm |
| 비차폐 전력 인덕터 | 개방형 자기 회로 | 구리선/평선 권선 | SMD | 3x3mm~12x12mm |
성능 매개변수 비교
| 인덕터 유형 | 인덕턴스 범위 | Q 값 범위 | DCR 범위 | 포화 전류 | 자기공진주파수 | 온도 안정성 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 다층 칩 인덕터 | 1nH~1μH | 10~50 | 0.05~5Ω | 낮음(300mA 이하) | 높음(>100MHz) | 우수 |
| 권선형 칩 인덕터 | 10nH~10μH | 20~80 | 0.03~2Ω | 중간(1A 이하) | 중형(30~100MHz) | 좋음 |
| 토로이달 인덕터 | 1μH~10H | 50~200 | 0.01~50Ω | 높음(50A 이하) | 낮음(<30MHz) | 우수 |
| 솔레노이드 인덕터 | 1μH~1H | 30~150 | 0.02~30Ω | 중-고(≤20A) | 낮음(<20MHz) | 중간 |
| 차폐 전력 인덕터 | 0.1μH~1000μH | 20~100 | 0.001~1Ω | 높음(30A 이하) | 중저(1~50MHz) | 좋음 |
| 비차폐 전력 인덕터 | 0.1μH~1000μH | 30~120 | 0.001~0.5Ω | 매우 높음(≤50A) | 중저(1~40MHz) | 중간 |
EMI 억제 애플리케이션
전원 입력/출력 단자, 신호 라인 및 전자기 간섭 억제가 필요한 기타 시나리오의 경우 인덕터를 사용하여 EMI 필터를 형성합니다. 이러한 애플리케이션을 위한 인덕터 선택 전략:
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우선 고려 사항: 공통 모드 인덕터, 페라이트 비드, 토로이달 인덕터
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주요 매개변수: 임피던스-주파수 특성, 포화 특성
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일반 사양: 억제 주파수 대역 및 현재 요구 사항을 기준으로 선택됨
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고려 사항:
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억제할 노이즈의 스펙트럼 특성 분석
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공통 모드 간섭과 차동 모드 간섭을 구별하고 적절한 인덕터 선택
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대전류 펄스가 인덕터에 미치는 영향 고려 포화
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온도가 억제 성능에 미치는 영향 평가
휴대용 장치 애플리케이션
스마트폰, 태블릿 및 기타 휴대용 장치에서 인덕터는 소형화 및 저전력 소비 요구 사항을 충족해야 합니다. 이러한 애플리케이션을 위한 인덕터 선택 전략:
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우선 고려 사항: 소형 차폐 전력 인덕터, 통합 인덕터
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주요 매개변수: 높은 전력 밀도, 낮은 프로파일 높이, 낮은 DCR
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일반 사양: 0.47μH
4.7μH, 2x2mm3x3mm 패키지 -
고려사항:
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저울 크기 및 성능 요구 사항
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인덕터 열 문제 고려
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민감한 회로에 대한 EMI 영향 평가
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배터리 구동 조건에서 효율성 요구 사항 고려
인덕터 선택 다양한 애플리케이션 시나리오를 위한 전략
인덕터 선택은 특정 애플리케이션 시나리오 요구 사항을 기반으로 포괄적으로 고려해야 합니다. 다음은 몇 가지 일반적인 애플리케이션 시나리오에 대한 인덕터 선택 전략입니다.
고주파 RF 애플리케이션
RF 회로, 무선 통신 모듈 및 기타 고주파 애플리케이션에서 인덕터는 주로 매칭 네트워크, 발진기 회로 및 필터에 사용됩니다. 이러한 애플리케이션을 위한 인덕터 선택 전략:
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우선순위 고려 사항: 다층 칩 인덕터, 공심 권선형 인덕터
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주요 매개변수: 높은 Q 값, 높은 SRF(자기 공진 주파수), 낮은 기생 정전 용량
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일반 사양: 1nH~100nH, 0201/0402 패키지
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고려 사항:
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페라이트 코어 사용 방지 고주파수에서 손실이 큰 인덕터
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주파수 안정성을 보장하기 위해 인덕터 온도 안정성 고려
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인덕터 간 커플링 및 차폐 문제에 주의
스위칭 전원 공급 장치 애플리케이션
DC-DC 컨버터, 벅/부스트 회로 및 기타 전원 공급 장치 애플리케이션에서 인덕터는 주로 에너지 저장 및 변환에 사용됩니다. 이러한 애플리케이션을 위한 인덕터 선택 전략:
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우선순위 고려 사항: 차폐/비차폐 전력 인덕터, 환상형 인덕터
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주요 매개변수: 포화 전류, DCR, 온도 상승 특성
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일반 사양: 1μH~100μH, 정격 전류는 전력 요구 사항에 따라 결정됩니다.
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고려 사항:
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작동 전류가 포화도의 80% 미만인지 확인하세요. 현재
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인덕터 손실 계산 및 열 방출 요구 사항 평가
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인덕터 EMI 영향을 고려하고 필요한 경우 차폐 유형을 선택합니다.
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전체 온도에 걸쳐 인덕터 성능 변화를 평가합니다. range
신호 필터링 애플리케이션
아날로그 신호 처리, 오디오 회로 및 기타 필터링 애플리케이션에서 인덕터는 커패시터와 결합하여 LC 필터를 형성합니다. 이러한 애플리케이션을 위한 인덕터 선택 전략:
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우선 고려 사항: 권선형 칩 인덕터, 팟 코어 인덕터
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주요 매개변수: 정확한 인덕턴스 값, 높은 Q 값, 낮은 왜곡
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일반 사양: 10μH~10mH, 정확도 ±5% 이상
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고려사항:
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선형성이 좋고 왜곡이 낮은 인덕터를 선택하세요.
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인덕턴스의 온도 안정성을 고려하세요. value
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외부 간섭을 받지 않도록 인덕터 차폐에 주의하세요
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작동 주파수 범위 내에서 인덕터 임피던스 특성을 평가하세요
결론
전자 시스템의 핵심 부품인 인덕터는 다양한 성능 특성을 지닌 다양한 유형으로 제공됩니다. 인덕터를 선택할 때 엔지니어는 애플리케이션 요구 사항, 회로 특성, 설치 조건 및 기타 요소를 종합적으로 고려하여 가장 적합한 인덕터를 선택하기 위한 일반적인 함정을 피해야 합니다.
전자 제품이 소형화, 고효율, 고신뢰성을 향해 발전함에 따라 인덕터 기술은 계속 혁신하고 있습니다. 새로운 자성 재료, 첨단 제조 공정, 혁신적인 구조 설계가 계속 등장하여 엔지니어에게 더 많은 선택권을 제공하고 있습니다. 인덕터 선택의 기본 원리와 방법을 숙지하는 것은 고성능 전자 시스템을 설계하는 데 중요합니다.
실제 응용 분야에서는 엔지니어가 인덕터 공급업체와 원활한 의사소통을 유지하고 응용 엔지니어링 리소스를 최대한 활용하며 프로토타입 단계에서 철저한 테스트 및 검증을 수행하여 인덕터 선택의 합리성과 시스템 안정성을 보장하는 것이 좋습니다.
설치 고려 사항
- PCB 레이아웃 설계:
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인덕터는 열에 민감하고 자기에 민감한 구성 요소로부터 멀리 배치해야 합니다.
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전력 인덕터 아래의 PCB는 열 구리 영역으로 설계해야 합니다
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여러 인덕터는 자기 결합을 고려해야 합니다. 문제, 병렬 배열 방지
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인덕터 주변에 충분한 냉각 공간을 확보해야 합니다
- 납땜 공정:
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SMD 인덕터는 일반적으로 리플로우 납땜을 사용합니다.
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대형 전력 인덕터는 웨이브 납땜 또는 수동 납땜이 필요할 수 있습니다.
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자기 손상을 방지하기 위해 납땜 온도 및 시간 제어에 주의하세요. 코어
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일부 인덕터는 열에 민감하므로 납땜 열 응력을 고려해야 합니다.
- 기계적 신뢰성:
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진동 환경에서 인덕터 안정성 고려
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대형 인덕터에는 추가적인 기계적 고정이 필요할 수 있음
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열 순환이 솔더 조인트에 미치는 영향 평가 신뢰성
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인덕터 자중으로 인한 PCB의 스트레스 고려
- 열 설계:
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고전류 인덕터는 열 채널 설계를 고려해야 합니다
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PCB 구리 호일 두께와 면적은 열 방출에 큰 영향을 미칩니다.
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다음과 같은 경우 냉각 구멍이나 방열판을 추가하세요. 필요
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여러 발열 부품의 열 결합 효과 평가
- EMI 고려 사항:
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비차폐 인덕터 주변에는 추가 차폐 조치가 필요할 수 있습니다.
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민감한 신호 라인은 전력 인덕터에서 멀리 떨어져 있어야 합니다.
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인덕터 자기장이 다음에 미치는 영향을 고려하십시오. 주변 구성 요소
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필요한 경우 PCB에 접지 차폐층 추가




