설명
Central Technologies 전자 부품 CT636CYF-3R3M의 기술 정보 및 사양 비교 페이지입니다. 주요 사양은 인덕턴스 3.3 µH, 정격 전류 2.26 A, 직류 저항(DCR) 35mOhm입니다. PDF 데이터시트를 확인하고 사양이 유사한 크로스 레퍼런스 후보를 비교할 수 있습니다.
사양
인덕턴스
3.3 µH
정격 전류
2.26 A
직류 저항 (DCR)
35mOhm
파라미터 가이드
CT636CYF-3R3M의 주요 전기적 및 기계적 사양을 확인하세요.
인덕턴스
3.3 µH
CT636CYF-3R3M의 인덕턴스 값은 3.3 µH입니다. 이 값은 부품이 저장할 수 있는 자기 에너지의 크기를 나타내며 인덕터를 비교할 때 가장 먼저 확인하는 핵심 파라미터입니다.
정격 전류
2.26 A
CT636CYF-3R3M의 정격 전류는 2.26 A입니다. 정격 전류는 예상 DC 또는 RMS 전류를 과도한 발열이나 포화 위험 없이 처리할 수 있는지 판단하는 데 도움이 됩니다.
직류 저항 (DCR)
35mOhm
CT636CYF-3R3M의 직류 저항은 35mOhm입니다. 낮은 DCR은 일반적으로 전도 손실을 줄이고 전원 회로의 효율을 높이는 데 유리합니다.
제품 속성
| 인덕턴스 | 3.3 µH |
| 공차 | ±20% |
| 정격 전류 | 2.26 A |
| 직류 저항 (DCR) | 35mOhm |
| 작동 온도 | -30°C ~ 100°C |
| 공급업체 | Central Technologies |
| 설명 | FIXED IND 3.3UH 35 MOHM SMD |
| 시리즈 | ct636cyf |
| 제품 상태 | Active |
| 인덕턴스 테스트 주파수 | 100 kHz |
| 실장 방식 | Surface Mount |
