FDUE1260-H-R45N=P3
muRata
'-
설명
muRata 전자 부품 FDUE1260-H-R45N=P3의 기술 정보 및 사양 비교 페이지입니다. 주요 사양은 인덕턴스 450nH, 직류 저항(DCR) 0.58mΩ, 패키지 크기 '-입니다. 제공된 사양을 확인하고 유사한 크로스 레퍼런스 후보를 비교할 수 있습니다.
사양
인덕턴스
450nH
직류 저항 (DCR)
0.58mΩ
파라미터 가이드
FDUE1260-H-R45N=P3의 주요 전기적 및 기계적 사양을 확인하세요.
인덕턴스
450nH
FDUE1260-H-R45N=P3의 인덕턴스 값은 450nH입니다. 이 값은 부품이 저장할 수 있는 자기 에너지의 크기를 나타내며 인덕터를 비교할 때 가장 먼저 확인하는 핵심 파라미터입니다.
직류 저항 (DCR)
0.58mΩ
FDUE1260-H-R45N=P3의 직류 저항은 0.58mΩ입니다. 낮은 DCR은 일반적으로 전도 손실을 줄이고 전원 회로의 효율을 높이는 데 유리합니다.
패키지/케이스
'-
FDUE1260-H-R45N=P3의 패키지 또는 케이스는 '-입니다. 패키지 크기는 PCB 풋프린트, 높이 제한, 열 특성 및 자동 조립 호환성에 영향을 줍니다.
제품 속성
데이터시트 기록
최종 업데이트: 2026. 9. 20.| 인덕턴스 | 450nH |
| 공차 | ±30% |
| 직류 저항 (DCR) | 0.58mΩ |
| 포화 전류 | 41.8A |
| 케이스/크기 | '- |
| 패키지/케이스 | '- |
| 공급업체 | muRata |
| 설명 | Power Inductor, 450nH, ±30%, Saturation current: 41.8A, Case: - |
| 유형 / 구조 | Power Inductor |