설명
muRata 전자 부품 LQW03AW2N1C00D의 기술 정보 및 사양 비교 페이지입니다. 주요 사양은 인덕턴스 2.1nH, 직류 저항(DCR) 160mΩ, 패키지 크기 SMD,0.4x0.5mm입니다. PDF 데이터시트를 확인하고 사양이 유사한 크로스 레퍼런스 후보를 비교할 수 있습니다.
사양
인덕턴스
2.1nH
직류 저항 (DCR)
160mΩ
파라미터 가이드
LQW03AW2N1C00D의 주요 전기적 및 기계적 사양을 확인하세요.
인덕턴스
2.1nH
LQW03AW2N1C00D의 인덕턴스 값은 2.1nH입니다. 이 값은 부품이 저장할 수 있는 자기 에너지의 크기를 나타내며 인덕터를 비교할 때 가장 먼저 확인하는 핵심 파라미터입니다.
직류 저항 (DCR)
160mΩ
LQW03AW2N1C00D의 직류 저항은 160mΩ입니다. 낮은 DCR은 일반적으로 전도 손실을 줄이고 전원 회로의 효율을 높이는 데 유리합니다.
패키지/케이스
SMD,0.4x0.5mm
LQW03AW2N1C00D의 패키지 또는 케이스는 SMD,0.4x0.5mm입니다. 패키지 크기는 PCB 풋프린트, 높이 제한, 열 특성 및 자동 조립 호환성에 영향을 줍니다.
제품 속성
| 인덕턴스 | 2.1nH |
| 직류 저항 (DCR) | 160mΩ |
| 케이스/크기 | SMD,0.4x0.5mm |
| 패키지/케이스 | SMD,0.4x0.5mm |
| 공급업체 | muRata |
| 설명 | Chip Inductor, 2.1nH, Case: SMD,0.4x0.5mm |
| 유형 / 구조 | Chip Inductor |
| Q @ 주파수 | 35@900MHz |
| 자기 공진 주파수 | 19GHz |