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LSQNA201212T100MR

LSQNA201212T100MR

Taiyo Yuden

0805 (2012 Metric)
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설명

FIXED IND 10UH 200MA 650 MOHM

사양

인덕턴스
10 µH
정격 전류
200 mA
직류 저항 (DCR)
650mOhm Max
크기
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

파라미터 가이드

LSQNA201212T100MR의 주요 전기적 및 기계적 사양을 확인하세요.

인덕턴스
10 µH

LSQNA201212T100MR의 인덕턴스 값은 10 µH입니다. 이 값은 부품이 저장할 수 있는 자기 에너지의 크기를 나타내며 인덕터를 비교할 때 가장 먼저 확인하는 핵심 파라미터입니다.

정격 전류
200 mA

LSQNA201212T100MR의 정격 전류는 200 mA입니다. 정격 전류는 예상 DC 또는 RMS 전류를 과도한 발열이나 포화 위험 없이 처리할 수 있는지 판단하는 데 도움이 됩니다.

직류 저항 (DCR)
650mOhm Max

LSQNA201212T100MR의 직류 저항은 650mOhm Max입니다. 낮은 DCR은 일반적으로 전도 손실을 줄이고 전원 회로의 효율을 높이는 데 유리합니다.

패키지/케이스
0805 (2012 Metric)

LSQNA201212T100MR의 패키지 또는 케이스는 0805 (2012 Metric)입니다. 패키지 크기는 PCB 풋프린트, 높이 제한, 열 특성 및 자동 조립 호환성에 영향을 줍니다.

빠른 도구

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제품 속성

데이터시트 기록
원본 문서최종 업데이트: 2026. 6. 17.
인덕턴스10 µH
공차±20%
정격 전류200 mA
직류 저항 (DCR)650mOhm Max
포화 전류200mA
작동 온도-40°C ~ 105°C
크기0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
케이스/크기0805 (2012 Metric)
패키지/케이스0805 (2012 Metric)
공급업체Taiyo Yuden
설명FIXED IND 10UH 200MA 650 MOHM
시리즈LSQN
제품 상태Active
유형 / 구조Wirewound
코어 재질Ferrite
차폐Semi-Shielded
Q @ 주파수-
자기 공진 주파수32MHz
정격 / 인증-
인덕턴스 테스트 주파수2.52 MHz
실장 방식Surface Mount
공급업체 디바이스 패키지0805
실장 높이 (최대)0.057" (1.45mm)
특징-

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