설명
Microgate Technology 전자 부품 MGFL2012F4R7MT-LF의 기술 정보 및 사양 비교 페이지입니다. 주요 사양은 인덕턴스 4.7 μH, 정격 전류 1000 mA, 직류 저항(DCR) 0.25 Ω ±30%, 패키지 크기 2012 Metric입니다. PDF 데이터시트를 확인하고 사양이 유사한 크로스 레퍼런스 후보를 비교할 수 있습니다.
사양
인덕턴스
4.7 μH
정격 전류
1000 mA
직류 저항 (DCR)
0.25 Ω ±30%
크기
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
파라미터 가이드
MGFL2012F4R7MT-LF의 주요 전기적 및 기계적 사양을 확인하세요.
인덕턴스
4.7 μH
MGFL2012F4R7MT-LF의 인덕턴스 값은 4.7 μH입니다. 이 값은 부품이 저장할 수 있는 자기 에너지의 크기를 나타내며 인덕터를 비교할 때 가장 먼저 확인하는 핵심 파라미터입니다.
정격 전류
1000 mA
MGFL2012F4R7MT-LF의 정격 전류는 1000 mA입니다. 정격 전류는 예상 DC 또는 RMS 전류를 과도한 발열이나 포화 위험 없이 처리할 수 있는지 판단하는 데 도움이 됩니다.
직류 저항 (DCR)
0.25 Ω ±30%
MGFL2012F4R7MT-LF의 직류 저항은 0.25 Ω ±30%입니다. 낮은 DCR은 일반적으로 전도 손실을 줄이고 전원 회로의 효율을 높이는 데 유리합니다.
패키지/케이스
2012 Metric
MGFL2012F4R7MT-LF의 패키지 또는 케이스는 2012 Metric입니다. 패키지 크기는 PCB 풋프린트, 높이 제한, 열 특성 및 자동 조립 호환성에 영향을 줍니다.
제품 속성
| 인덕턴스 | 4.7 μH |
| 공차 | ±20% |
| 정격 전류 | 1000 mA |
| 직류 저항 (DCR) | 0.25 Ω ±30% |
| 작동 온도 | -55℃ ~ +125℃ |
| 크기 | 0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm) |
| 케이스/크기 | 2012 Metric |
| 패키지/케이스 | 2012 Metric |
| 설명 | Multilayer chip ferrite inductor, 4.7 μH ±20%, 1000 mA |
| 시리즈 | MGFL2012F |
| 유형 / 구조 | Multilayer |
| 코어 재질 | Ferrite (Ni-Cu-Zn) |
| 자기 공진 주파수 | 35 MHz Min |
| 정격 / 인증 | UL 94V-1 (Flammability) |
| 인덕턴스 테스트 주파수 | 1 MHz |
| 실장 높이 (최대) | 0.037 (0.95mm) |
| 특징 | High Current |