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MPIT3012-4R7M10-LF

Microgate Technology

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설명

Microgate Technology 전자 부품 MPIT3012-4R7M10-LF의 기술 정보 및 사양 비교 페이지입니다. 주요 사양은 인덕턴스 4.7 μH, 정격 전류 1.24 A, 직류 저항(DCR) 0.156 Ω입니다. PDF 데이터시트를 확인하고 사양이 유사한 크로스 레퍼런스 후보를 비교할 수 있습니다.

사양

인덕턴스
4.7 μH
정격 전류
1.24 A
직류 저항 (DCR)
0.156 Ω
크기
0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

파라미터 가이드

MPIT3012-4R7M10-LF의 주요 전기적 및 기계적 사양을 확인하세요.

인덕턴스
4.7 μH

MPIT3012-4R7M10-LF의 인덕턴스 값은 4.7 μH입니다. 이 값은 부품이 저장할 수 있는 자기 에너지의 크기를 나타내며 인덕터를 비교할 때 가장 먼저 확인하는 핵심 파라미터입니다.

정격 전류
1.24 A

MPIT3012-4R7M10-LF의 정격 전류는 1.24 A입니다. 정격 전류는 예상 DC 또는 RMS 전류를 과도한 발열이나 포화 위험 없이 처리할 수 있는지 판단하는 데 도움이 됩니다.

직류 저항 (DCR)
0.156 Ω

MPIT3012-4R7M10-LF의 직류 저항은 0.156 Ω입니다. 낮은 DCR은 일반적으로 전도 손실을 줄이고 전원 회로의 효율을 높이는 데 유리합니다.

빠른 도구

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관련 데이터시트 경로 탐색

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제품 속성

데이터시트 기록
원본 문서최종 업데이트: 2026. 9. 14.
인덕턴스4.7 μH
공차±20%
정격 전류1.24 A
직류 저항 (DCR)0.156 Ω
포화 전류1.00 A
작동 온도-40℃ to +125℃
크기0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)
시리즈MPIT3012
코어 재질Ni-Zn Ferrite
인덕턴스 테스트 주파수1 MHz
실장 높이 (최대)0.047 (1.20mm)

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